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[ FUJI ] 2SK2687-01 Datasheet下载

厂商:

FUJI ELECTRIC

FUJI

FUJI ELECTRIC

描述:

三级a做爰视频免费观N沟道硅功率MOSFET

三级a做爰视频免费观N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK2701A 品牌:Sanken

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
2SK2701A 图片
制造商
Sanken
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
450V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
1.1 欧姆 @ 3.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1µA
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
720pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
35W(Tc)
工作温度
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F
封装/外壳
TO-220-3 整包
标准包装
1,000
其它名称
2SK2701A DK

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FUJI ELECTRIC

FUJI

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描述:

N沟道MOS - FET的

N-channel MOS-FET

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FUJI ELECTRIC

FUJI

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描述:

N沟道MOS - FET的

N-channel MOS-FET

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[ FUJI ] 2SK2687-01_05 Datasheet下载

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FUJI ELECTRIC

FUJI

三级a做爰视频免费观FUJI ELECTRIC

描述:

三级a做爰视频免费观N沟道硅功率MOSFET

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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[ FUJI ] 2SK2688-01 Datasheet下载

厂商:

FUJI ELECTRIC

FUJI

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N沟道MOS - FET的

三级a做爰视频免费观N-channel MOS-FET

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[ ETC ] 2SK2688-01L Datasheet下载

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ETC

ETC

ETC

描述:

晶体管| MOSFET | N沟道| 30V V( BR ) DSS | 50A I( D) | TO- 262VAR\n

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-262VAR

下载:

[ FUJI ] 2SK2688-01L Datasheet下载

厂商:

FUJI ELECTRIC

FUJI

FUJI ELECTRIC

描述:

三级a做爰视频免费观N沟道硅功率MOSFET

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

下载:

[ FUJI ] 2SK2688-01S Datasheet下载

厂商:

FUJI ELECTRIC

FUJI

FUJI ELECTRIC

描述:

晶体管| MOSFET | N沟道| 30V V( BR ) DSS | 50A I( D) | TO- 252VAR\n

三级a做爰视频免费观TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-252VAR

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2SK2713 品牌:Rohm Semiconductor

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
2SK2713 图片
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
散装
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
450V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
1.4 欧姆 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
600pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
30W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FN
封装/外壳
TO-220-3 整包
标准包装
500
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)

2SK2715TL 品牌:Rohm Semiconductor

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
2SK2715TL 图片
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
4 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
280pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
20W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
CPT3
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装
2,500
其它名称
2SK2715TL-ND 2SK2715TLTR
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
  • PDF缩略图
  • 1.
  • 的GaAs HEMT
    GaAs HEMT

  • HITACHI
  • 总10页

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