三级a做爰视频免费观

[ KEXIN ] 2SJ360 Datasheet下载

厂商:

GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

KEXIN

GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

描述:

MOS场效应晶体管

MOS Field Effect Transistors

下载:

2SJ360(F) 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
2SJ360(F) 图片
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
散装
零件状态
停產
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
730 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.5nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
155pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
PW-MINI
封装/外壳
TO-243AA
标准包装
100

[ TOSHIBA ] 2SJ360 Datasheet下载

厂商:

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

TOSHIBA

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

描述:

三级a做爰视频免费观斩波稳压器, DC-DC转换器和电机驱动应用

三级a做爰视频免费观Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications

下载:

[ TOSHIBA ] 2SJ360 Datasheet下载

厂商:

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

TOSHIBA

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

描述:

三级a做爰视频免费观斩波稳压器, DC-DC转换器和电机驱动应用

Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications

下载:

[ TOSHIBA ] 2SJ360 Datasheet下载

厂商:

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

TOSHIBA

三级a做爰视频免费观TOSHIBA SEMICONDUCTOR

描述:

P沟道MOS型(高速,大电流开关,斩波稳压器, DC-DC转换器和电机驱动应用)

三级a做爰视频免费观P CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS)

下载:

[ TOSHIBA ] 2SJ360_07 Datasheet下载

厂商:

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

TOSHIBA

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

描述:

斩波稳压器, DC-DC转换器和电机驱动应用

Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications

下载:

[ TOSHIBA ] 2SJ360_09 Datasheet下载

厂商:

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

TOSHIBA

TOSHIBA SEMICONDUCTOR

描述:

三级a做爰视频免费观斩波稳压器, DC-DC转换器和电机驱动应用

Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications

下载:

[ HITACHI ] 2SJ361 Datasheet下载

厂商:

HITACHI SEMICONDUCTOR

HITACHI

HITACHI SEMICONDUCTOR

描述:

三级a做爰视频免费观硅P沟道MOS场效应管

Silicon P-Channel MOS FET

下载:

[ SANYO ] 2SJ362 Datasheet下载

厂商:

SANYO SEMICON DEVICE

SANYO

SANYO SEMICON DEVICE

描述:

超高速开关应用

三级a做爰视频免费观Very High-Speed Switching Applications

下载:

2SJ360(TE12L,F) 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
2SJ360(TE12L,F) 图片
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
停產
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
730 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.5nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
155pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
PW-MINI
封装/外壳
TO-243AA
标准包装
1,000
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)

2SJ377(TE16R1,NQ) 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
2SJ377(TE16R1,NQ) 图片
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
190 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
22nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
630pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
20W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
PW-MOLD
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装
2,000
其它名称
2SJ377 (TE16R1,NQ) 2SJ377NQTR 2SJ377TE16R1NQ
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
  • PDF缩略图
  • 1.
  • P沟道MOS场效应管高速开关
    P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCH

  • NEC
  • 总6页

2SJ358-T1相关资料文章和技术文档